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PECVD氣相沉積（等離子體增強化學(xué)氣相沉積）是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造等眾多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。

CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導(dǎo)體、光電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用

全自動CVD滑軌爐系統(tǒng)由雙溫區(qū)滑軌爐、質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)三部分組成。雙溫區(qū)滑軌爐可移動并可實現(xiàn)快速升降溫；四路質(zhì)子流量計能夠準確控制系統(tǒng)的供氣；真空泵可實現(xiàn)對管式爐快速抽真空。

1200℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐和三路浮子流量計組成。由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同時有過熱和斷偶保護功能。爐管兩側(cè)法蘭配有數(shù)字式真空計和機械式壓力表，可以用來控制路管內(nèi)的氣氛環(huán)境。

該三溫區(qū)1600 CVD系統(tǒng)主要用于真空燒結(jié)、氣氛保護性燒結(jié)、真空鍍膜 各種材料煅燒、需要溫度梯度的各種CVD實驗

1700℃兩路浮子供氣氫氣還原CVD系統(tǒng)可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐。爐管材質(zhì)采用高純氧化鋁,*高可在1650℃的高溫工作。為了匹配通入氫氣的試驗要求，本管式爐在爐管右端加裝手動點火裝置,能夠確保試驗**;爐管左側(cè)有真空計和氣壓表，用以控制爐管內(nèi)部的真空度和氣氛環(huán)境。